何為先行片

圓片在基區擴散后，發(fā)射區擴散前都要做先行片，由先行片的實(shí)驗工藝條件來(lái)指導批量生產(chǎn)，在測試前需要進(jìn)行特性光刻開(kāi)特性孔，特性光刻后進(jìn)行前處理：在加熱到（75±5）℃的2號液中煮一段時(shí)間，然后再進(jìn)行H₂處理，后利用四探針測試儀測試晶體管的特性。

H₂處理的工藝溫度為500℃，進(jìn)行H₂處理的目的是為了改善硅片表面的表面態(tài)密度，由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的懸掛鍵，即存在很多表面態(tài)，通過(guò)H₂處理可以將硅懸掛鍵和氫鍵結合從而減少界面態(tài)，如果不進(jìn)行H₂處理，特性測試不出來(lái)。

對于三極管（小功率和大功率）來(lái)說(shuō)，主要是雙結測試，主要測試參數有BVCBO、BVCEO、BVEBO、HFE，如果HFE偏小，則需要追加擴散，一般擴散時(shí)間越長(cháng)，HFE越大，當然HFE均勻性也很重要，不能太離散。對于大功率晶體管還需要在基區擴散后進(jìn)行單結，主要測試BVCBO。